Компания Samsung представила новую линейку фирменных твердотельных накопителей на основе технологии 3D V-NAND - 850 Pro. Суть технологии в создании многослойных «бутербродов» из флэш-памяти. Текущая реализация использует 40нм техпроцесс и как результат емкость кристалла ограничена 32 слоями объёмом до 1 Тбит ~ 128 Гб.
В основе новой линейки лежит трех ядерный процессор Samsung MEX, который до этого применялся в накопителях серии 840 Evo. Заявленная производительность для чтения 100,000 IOPS (операций ввода-вывода) и 90,000 для записи.
В продажу накопители Samsung 850 Pro поступят в конце июля 2014 года в четырёх вариантах различающихся только емкостью памяти: 128 Гб, 256 Гб, 512 ГБ и 1 ТБ.
