Компания SK Hynix представила модули памяти DDR4, основанные на технологии Through Silicon Via (TSV). Максимальный объем доступный для производства 128Гб. Плотность компоновки – 8Гбит на чип, технология производства 20нм.
Технология TSV – метод вертикального интерконнекта сквозь силикон, позволяет удвоить плотность модулей.
Новые модули работают на частоте 2133 МГц, что дает пропускную способность 17 Гбит/сек на шине 64 бита. Напряжение питания DDR4 1,2 В против 1,5В у памяти стандарта DDR3.
Массовое производство новой памяти начнется в первом полугодии 2015 года. На данный момент нет ни материнских плат, ни процессоров с поддержкой памяти стандарта DDR4.
