Все о компьютерах, играх и киберспорте

Компания SK Hynix представила модули памяти DDR4, основанные на технологии Through Silicon Via (TSV). Максимальный объем доступный для производства 128Гб. Плотность компоновки – 8Гбит на чип, технология производства 20нм.

Технология TSV – метод вертикального интерконнекта сквозь силикон, позволяет удвоить плотность модулей.

Новые модули работают на частоте 2133 МГц, что дает пропускную способность 17 Гбит/сек на шине 64 бита. Напряжение питания DDR4 1,2 В против 1,5В у памяти стандарта DDR3. 

Массовое производство новой памяти начнется в первом полугодии 2015 года. На данный момент нет ни материнских плат, ни процессоров с поддержкой памяти стандарта DDR4.

 

Количество уникальных просмотров: 1869

Оцените материал:

Система Orphus

Подписаться на новости

Последнее с форума:

Последнее в блогах:

Социальные сети и RSS:

Дружественные проекты:

Интернет-магазин "Не Кури!" - электронные сигареты в Алматы, Караганде. Доставка по всему Казахстану

Page rendered in 0.1479 seconds and used 0.79MB of RAM. We need to overclock it :-)!